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科技日報(bào)訊 8月9日，由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)教授領(lǐng)銜團(tuán)隊(duì)研發(fā)的世界第一個(gè)半浮柵晶體管（SFGT）研究論文刊登于《科學(xué)》雜志,，這是我國科學(xué)家首次在該權(quán)威雜志發(fā)表微電子器件領(lǐng)域的研究成果,。該成果的研制將有助于我國掌握集成電路的核心技術(shù),，從而在國際芯片設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域內(nèi)逐漸獲得更多的話語權(quán)。 MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是現(xiàn)在集成電路的核心器件,。在過去的幾十年里,，各國科學(xué)家努力將更多的MOSFET集成到一塊芯片上來提高運(yùn)算能力，鉆研如何實(shí)現(xiàn)更小尺寸的元器件,。張衛(wèi)表示,，隨著器件尺寸越來越接近其物理極限，基于新結(jié)構(gòu)和新原理的晶體管成為當(dāng)前業(yè)界急需,。半浮柵晶體管的前瞻研發(fā)就是在這種情況下展開的,。研究團(tuán)隊(duì)將隧穿場效應(yīng)晶體管（TEET）和MOSFET相結(jié)合，構(gòu)建成了一種名為“半浮柵”的新型基礎(chǔ)器件,。 論文第一作者王鵬飛教授解釋說,“隧穿”是量子世界的常見現(xiàn)象,，可以“魔術(shù)般”地通過固體，好像擁有了穿墻術(shù),?！八泶眲輭驹降停喈?dāng)于“墻”就越薄,，器件隧穿所需電壓也就越低,。把TFET和浮柵晶體管相結(jié)合，半浮柵晶體管（SFGT）的“數(shù)據(jù)”擦寫更加容易,、迅速,。“TFET為浮柵充放電,、完成‘?dāng)?shù)據(jù)擦寫’的操作,，‘半浮柵’則實(shí)現(xiàn)‘?dāng)?shù)據(jù)存放和讀出’的功能?！睆埿l(wèi)解釋說,，傳統(tǒng)浮柵晶體管是將電子隧穿過禁帶寬度接近8.9電子伏特的二氧化硅絕緣介質(zhì)的“厚墻”，而半浮柵晶體管（SFGT）的隧穿則發(fā)生在禁帶寬度僅1.1電子伏特的硅材料內(nèi),，隧穿勢壘大為降低,，這不僅降低了功率，而且其操作速度大幅提高,，接近了由6個(gè)MOSFET組成的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）,。
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